來(lái)源：新浪VR

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電未來(lái)的2納米工藝會(huì)利用GAA技術(shù)，目前正以超過(guò)預(yù)期的速度進(jìn)行開(kāi)發(fā)。雖然三星已經(jīng)計(jì)劃在2021年的3納米節(jié)點(diǎn)（量產(chǎn)）上改用GAA技術(shù)，但臺(tái)積電表示，其3納米節(jié)點(diǎn)將繼續(xù)使用FinFet工藝，而基于GAA技術(shù)的2nm節(jié)點(diǎn)將在2023年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。

不過(guò)，目前臺(tái)積電遙遙領(lǐng)先于其韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，大多數(shù)芯片制造商希望2021年采用5納米工藝，繼蘋(píng)果之后。根據(jù)源，5nm 節(jié)點(diǎn)的收益率甚至比現(xiàn)有的 7nm 流程更好。另一方面，3nm工藝將在2022年下半年批量生產(chǎn)。臺(tái)積電似乎相信，其5納米和3納米節(jié)點(diǎn)將足以對(duì)抗三星的3納米GAA進(jìn)程。

臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)在于，它將繼續(xù)是蘋(píng)果的主要鑄造合作伙伴，直到2nm GAA節(jié)點(diǎn)，這是聯(lián)合開(kāi)發(fā)的智能手機(jī)制造商的充分支持。

FinFet 晶體管：在這里，通過(guò)應(yīng)用電荷，當(dāng)使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 打開(kāi)時(shí)，柵極允許電流從源流向涌動(dòng)。

如果你想知道GAA有什么大不了的，它更多的是關(guān)于電流泄漏，因?yàn)槟闶湛s晶體管。通常，當(dāng)您打開(kāi)晶體管時(shí)，電流僅在晶體管的源和漏管之間流動(dòng)。但是，如果您在柵極長(zhǎng)度方面低于某些限制，則即使晶體管關(guān)閉，電流在源之間流動(dòng)并排出。

如上圖所示，中間的門(mén)從三面覆蓋源排水管。這是一個(gè) 3D 結(jié)構(gòu)，如上圖所示。這是一個(gè)側(cè)視圖。使用 GAA 時(shí)，門(mén)（下面為紫色）覆蓋了所有四面的所有源漏通道，進(jìn)一步減少了泄漏。